HAMEG HM6042
Owner's Manual

Anwendungsbeispiele

Einsatz der Speicherfunktion MEM
Für die Selektion von Transistoren bietet der HM6042 eine sehr hilfreiche Speicherfunktion. Durch die Taste MEM lassen sich die Parameter eines Transistors speichern und mit einem weiteren Bauteil des gleichen Typs vergleichen. Dadurch lassen sich sehr einfach Selektionen hinsichtlich der Parameter IC / ID, β, h11, h21, h22, y21 und y22 durchführen. Zuerst wird der gewünschte Parameter für den Referenztransistor gemessen. Der Referenztransistor befindet sich auf der linken Seite des Adapters, der Schiebeschalter des Adapters ist in der linken Position. Wird dann die Taste MEM gedrückt, werden die gemessenen Werte der statischen Parameter intern gespeichert und können so mit den Parametern eines zweiten Transistors verglichen werden. Im Display erscheint ein �-Zeichen zur Unterscheidung der Relativwerte von den Referenzwerten. Au�erdem wird die Anzeige auf �0� gesetzt. Der zweite DUT sollte auf der rechten Seite des Adapters angeschlossen und der Schiebeschalter des Adapters nach rechts geschoben werden. Anschlie�end erscheinen im Display bei Auswahl eines Vergleichstransistors die Differenzwerte bezogen auf den Referenztyp. Es werden keine %-Angaben angezeigt, sondern direkt die Differenzwerte. Ein weiterer Druck auf die Taste MEM deaktiviert diese Funktion.

Darstellungen der Kennlinien für Feldeffekttransistoren
Sollen Feldeffekttransistoren untersucht werden, muss die Taste BIP/FET 15 gedrückt sein. Der Parameter für die Verschiebung der Kennlinien ist die Gate-Spannung UG. Entsprechend der Bedienung und Darstellung bei den Bipolar-Transistoren lässt sich, nach Auswahl der Funktionen MAX oder MIN , mittels Drehknopf die Gate-Spannung UG schrittweise ändern. Die Anzahl der Schritte beträgt 256 bei einer einstellbaren Spannung von �10 V bis +10 V. Dementsprechend beträgt die Schrittweite ca. 80 mV. Dabei wird die Schrittzahl mittels des Drehgebers so weit erhöht, dass eine Kurvenschar erkennbar wird. Achtung! Bei der Messung von Feldeffekttransistoren können Spannungen bis zu 50 VDC am Bauteil auftreten. Dies ist dann der Fall wenn z.B. UD = 40 V gewählt wurde und die Gate-Spannung mit �10 V eingestellt wird. Es wird vorausgesetzt, dass der HM6042 nur von Personen bedient wird, die mit den damit verbundenen Gefahren vertraut sind.

STOP

Fehlermeldungen
Wird eine der folgenden Fehlermeldungen angezeigt, muss das Gerät zur Neu-Kalibrierung eingeschickt werden. Bitte beachten Sie dazu unsere Garantie- und Reparaturbedingungen auf Seite 7 dieser Bedienungsanleitung. � � � �CALIBRATION FAULT� �VERIFICATION ERROR� �TIMING ERROR�

Anwendungsbeispiele

Bipolar-Transistoren
1. Schlie�en Sie das zu testende Bauteil an die entsprechenden Eingänge 17 an. 2. Vergewissern Sie sich, dass die Taste BIP/FET 15 ungedrückt ist. 3. Wählen Sie den Transistortyp (NPN bzw. PNP) mit der Taste NPN/PNP 16 aus. 4. Stellen Sie die Grenzen für Strom Imax. 19 , Spannung Umax. 21 und Leistung Pmax. 23 ein. 5. Drücken Sie die Taste DUT 14 um die Messung zu starten. 5 Kennlinien werden auf dem Bildschirm abgebildet. Achtung: Durch die Messung kann sich das Bauteil erheblich erhitzen. 6. Die vertikale Position der Kennlinien IC = f(UCE) ist abhängig vom Basisstrom IB. Der Basisstrom, und damit auch die Abstände der Kennlinien, können mittels des Drehknopf verändert werden, wenn die Funktion MAX bzw. MIN aktiviert ist. Mit dem Drehknopf lässt sich die Lage der obersten bzw. untersten Kennlinie durch �ndern des Basisstromes verändern. Bei der Inbetriebnahme ist der Basisstrom auf ein Minimum eingestellt. 7. Mit den Cursor-Funktionen werden die berechneten Parameter mit den Tasten ausgewählt und auf dem Display dargestellt.
12
�nderungen vorbehalten